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三星（サムスン）電子は２７日（現地時間）、米国シリコンバレーで開かれた「三星ファウンドリーフォーラム２０２３」で２ナノ工程の量産計画を具体的に公表した。三星電子はファウンドリー顧客社とパートナー社などから７００人余りが集まったフォーラム会場で、「２０２５年にモバイル向け２ナノ工程を量産し、２０２６年に高性能コンピューティング（ＨＰＣ）用を、２０２７年には車両用工程の量産に入る」と明らかにした。また「最先端の２ナノ工程は３ナノに比べて性能は１２％、電力効率は２５％向上し、面積は５％減少するだろう」と公開した。
ファウンドリー工程でナノメートル（nm＝１nmは１０億分の１メートル）は半導体回路の線幅を意味する。線幅が狭いほど、同じ大きさのウェハーからより多くのチップを生産することができる。生産性を上げることができるうえ、半導体チップの性能を高めることができるため、ファウンドリー企業は激しい超微細工程競争を繰り広げている。今のところ、三星電子と台湾ＴＳＭＣが３ナノ量産に成功した中で、２ナノが次の激戦地として浮上したのだ。
三星電子が２ナノ工程の具体的な製品別の生産ロードマップを明らかにしたのは初めてだ。半導体業界の関係者は、「これは単純に量産目標だけを明らかにしたのではなく、すでに部門別の顧客会社を確保していることを意味する」とし、「ライバル会社と市場に対して自信を示したもの」と話した。
三星電子は昨年のファウンドリーフォーラムで２０２５年に２ナノ、２０２７年に１．４ナノ工程の量産を目標に掲げていると公表した。ＴＳＭＣも２０２５年の２ナノ工程量産を目標にしている。後発ランナーの米インテルは、２０２５年上半期に２ナノ級の２０Ａ（オンストローム）、下半期に１．８ナノ級１８Ａ工程量産計画を提示した。さらに、昨年下半期にトヨタとソニー、ＮＴＴ、ソフトバンクの８社が合弁して発足した日本ラピダスも米ＩＢＭから技術移転を受け、２０２５年に２ナノ試作品の生産、２０２７年には２ナノ量産を宣言した。
ファウンドリー戦争で三星電子は２ナノ超微細工程を通じてＡＩなど高性能・高付加価値半導体市場を持ってくるという抱負だ。三星電子のチェ・シヨン・ファウンドリー事業部社長は「多くの顧客会社が自社製品とサービスに最適化されたＡＩ専用半導体開発に積極的に乗り出している」とし、「三星電子はＡＩ半導体に最適化されたゲートオールアラウンド（ＧＡＡ）トランジスタ技術を継続して革新していき、技術パラダイム変化を主導する」と強調した。
東亜日報 Updated June. 29, 2023 08:31
https://www.donga.com/jp/home/article/all/20230629/4255195/1