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近年、従来のシリコンを用いたトランジスタに代わり、カーボンナノチューブを使用したより
性能の高いトランジスタの開発が多くの研究者によって試みられています。マサチューセッツ
工科大学(MIT)の研究チームは、カーボンナノチューブを用いたトランジスタに関わる問題を解決し、
「Hello World」を表示させることに成功したと報告しました。
研究チームによると、カーボンナノチューブでトランジスタを構築するにあたり、大きく3つの課題が
存在しているとのこと。1つ目が「カーボンナノチューブをウェハー上に置くと量が均等にならず、
過剰に堆積した部分ができてしまう」という点、2つ目が「カーボンナノチューブは半導体型と金属型の
2種類に分かれてしまう」という点、3つ目が「トランジスタのP型半導体とN型半導体を作り出すのが難しい」
という点です。MITの研究チームはこれらの課題を乗り越えるべく、いくつかの解決策を考案しました。
カーボンナノチューブ製トランジスタを作る際、シリコン製のウェハー上にカーボンナノチューブをのせるために、
カーボンナノチューブは溶液に入れられてから全体に広げられます。この際、ほとんどのカーボンナノチューブは
ウェハー上で均一になるものの、時には1000本以上の束となってしまい、大規模なトランジスタの
製造を妨げるとのこと。
そこで研究チームは個々のカーボンナノチューブ同士の結合よりも、ウェハーと接するカーボンナノチューブが
ファンデルワールス力で結合する力の方が強い点に着目。カーボンナノチューブとウェハーの接着を促進する
薬剤で前処理を行うことで、カーボンナノチューブ同士が過剰に固まった箇所だけを洗い流すことに成功したそうです。
https://gigazine.net/news/20190829-carbon-nanotube-transistors-microprocessor/